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宽禁带半导体掺杂及缺陷调控理论
信息来源:在线教育    
发布日期:2018-03-30

  从古到今,名利就是一个神奇的东西。

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宽禁带半导体掺杂及缺陷调控理论

主讲人:魏苏淮,北京计算科学研究中心教授时间:2019年6月10日19:00地点:物电学院A栋335学术报告厅联系人:陈克求讲座摘要:相对于普通半导体,宽禁带半导体,如GaN,AlN,ZnO,In2O3,Ga2O3及它们的合金能够更好的在高电压,高频,和高温的情况下工作,在新能源,雷达,和短波长激光等领域具有重大应用价值。 和其他半导体材料一样,宽禁带半导体材料的功能与它们的缺陷态紧密相关,因为它控制着材料的电子和光学行为。

不幸的是,大多数宽禁带半导体材料如ZnO或金刚石存在掺杂不对称问题,即它们可以是n型掺杂的或p型掺杂的,但两者不会同时存在。

另外宽禁带半导体很容易引入成为非辐射复合中心的深能级缺陷,导致发光效率低,导电性差等问题。

这些掺杂瓶颈已经严重阻碍了这些宽禁带半导体的发展和潜在应用。

在这个报告里我们将讨论宽禁带半导体中掺杂困难的起因,掺杂及缺陷调控理论和计算方法方面的进展和克服这些材料中掺杂难度的方法。

这些包括(1)如何通过非平衡态的生长方法增加掺杂材料的溶解度,(2)如何选择掺杂物或掺杂材料复合物,如通过过渡金属掺杂,多价杂质掺杂等降低杂质电离能,增加载流子浓度和材料的导电性,以及(3)如何修改主体带边结构以减少内在缺陷补偿,克服宽禁带半导体中p型和双极掺杂瓶颈。 主讲人简介:魏苏淮,现任北京计算科学研究中心讲座教授、材料与能源研究部主任,中组部“千人计划”专家,科技部国家重点研发专项首席科学家,美国物理学会会士(APSFellow),美国材料学会会士(MRSFellow)。 1981年毕业于复旦大学物理二系,获学士学位。

1985年毕业于美国CollegeofWilliamandMary,获博士学位。 之后在美国NationalRenewableEnergyLaboratory任博士后、科学家、资深科学家、首席科学家、理论研究室主任,国家实验室Fellow。 2015加入北京计算科学研究中心。

多年来在研究半导体材料、能源材料,和纳米材料等体系的结构、能带、电学,光学,磁学,以及掺杂等性质方面取得了一些原创性且具有国际影响力的成果,并在研究这些体系的过程中发展了多种计算方法。

在国际知名期刊上已发表了SCI论文480余篇,其中70篇发表在物理学顶级期刊PhysicalReviewLetters上,论文引用48000多次,H因子=109。 2007年被复旦大学聘为长江学者讲座教授。 1999年被选为美国物理学会会士(APSFellow),2014年被选为美国材料学会会士(MRSFellow)。

 

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